Спин-поляризованный ток в магнитных туннельных точечных наноконтактах с учетом градиентов электрохимических потенциалов

В работе исследуются свойства проводимости магнитных туннельных точечных наноконтактов с учётом градиентов электрохимических потенциалов на интерфейсе ферромагнитный метал/диэлектрик.

Магнитосопротивление точечных магнитных туннельных контактов с учётом градиентов электрохимических потенциалов

В работе исследуются свойства проводимости точечных магнитных туннельных наноконтактов с учётом градиентов электрохимических потенциалов на интерфейсе, ферромагнитный металл/диэлектрик. Получено выражение спин-поляризованного тока и выполнен расчёт туннельного магнитосопротивления.

Резонансная проводимость электронов на интерфейсах магнитного туннельного контакта

Коэффициент прохождения электрона проводимости в магнитных туннельных наноконтактах с мультиферроиком BiFeO3

В работе представлена теоретическая модель, позволяющая вычислить коэффициент прохождения спин-поляризованных электронов через наноконтакт ферромагнетик-мультиферроик-ферромагнетик (FM/BiFeO3/FM). Получены зависимости коэффициента прохождения от приложенного напряжения и отношения волновых векторов.

Спин-поляризованная проводимость магнитного туннельного наноконтакта с мультиферроиком BiFeO3

Рассматривается простая модель мультиферроидного туннельного наноконтакта (МТК), который состоит из двух ферромагнитных электродов, разделённых ферроэлектрическим барьерным слоем BiFeO3. Вычисляется проводимость МТК.

Спин-поляризованная проводимость в магнитном туннельном контакте с мультиферроиком BiFeO3

В настоящей работе разработана модель туннельного транспорта для MTJ с мультиферроиком, состоящим из двух ферромагнитных электродов (ФМ), разделенных барьером BiFeO3 толщиной в несколько нм.

Calculation of tunnel magnetoresistance of magnetic tunnel junction for magnetic biosensors

Spin-polarized current in magnetic tunnel junction with non-coplanar magnetized electrodes

Спин-поляризованная проводимость электронов в наноразмерных структурах

Работа представляет собой теоретическое обобщение и моделирование спин-поляризованной проводимости (кондактанса) в магнитных наноразмерных гетероструктурах на основе расширенной модели магнитного точечного контакта.

Спин-зависящий электронный транспорт в ячейках MeRAM

В работе представлена теоретическая модель стрейнтронной запоминающей магнитоэлектрической ячейки (MeRAM) с конфигурационной анизотропией. Проводится расчёт спин-поляризованного тока и туннельного магнитосопротивления (TMR) магнитного туннельного перехода FM/I/FM, в виде сэндвича из плоских ферромаг

Спин-зависящий электронный транспорт в наноконтакте на основе ферромагнетика, изолятора и антиферромагнетика

Проводится теоретический расчёт и исследуется спин-зависящий электронный транспорт в планарном наноконтакте FML/I/AFMR, состоящем из ферромагнитного (FM) и антиферромагнитного (AFM) металлов, разделённых между собой изолятором I. Рассчитываются кондактанс и туннельное магнитосопротивление.

Секция 2. Магнитные наноструктуры.

Spin-dependent electron transport in nanocontacts taking into account chemical potential gradients

In this work are developed a theory of spin transport in magnetic NanoContacts (NC) considering to the gradient terms in the series expansion of Green function. The main objective of this work is studying the influence of gradient of chemical potential on the tunnel characteristics in magnetic NC.

Spin-dependent electron transport in nanocontact with non-collinearly mag-netized electrodes

The study of the magnetization rearrangement in ferromagnetic micro- and nanostructures is associated with the necessity to fabricate media for the high-density storage of information and to reduce the energy required for information recording and processing. The studies of the magnetoelastic effect

Magnetoresistance of Magnetic NanoContact with taking account Gradients of Chemical Potentials

Tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with embedded nanoparticles.

Resonant magnetoresistance in asymmetrical double-barrier magnetic tunnel junction

ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ АСПЕКТЫ СПИНТРОНИКИ

Spin Polarized Conductance in Double-Barrier Magnetic Tunnel Junction