| Form of presentation | Articles in international journals and collections |
| Year of publication | 2020 |
| Язык | английский |
|
Tagirov Lenar Rafgatovich, author
Useinov Niazbek Khamzovich, author
|
| Bibliographic description in the original language |
Useinov A, Lin H.-H, Useinov N, Tagirov L.R. Simulation of the nanoscale interconnects within a spin-resolved electron transport model//2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020. - 2020. - Vol., Is.. - P.72-73. |
| Annotation |
Работа представляет собой теоретическое моделирование электрической проводимости в межсоединениях наносейла в рамках подхода модели расширенного точечного контакта (ПК). Подход описывает диффузный, квазибаллистический, баллистический и квантовый режимы спин-разрешенной проводимости, что важно для разработки моделей гетеропереходов, включая межсоединения 2D-3D. В качестве преимущества модель обеспечивает унифицированное описание контактного сопротивления от диффузионного Максвелла через баллистический режим до чисто квантового транспортного режима без остаточных членов. Модель ПК предполагает, что контактную площадку можно заменить сложным квантовым устройством, например одиночный туннельный переход, узкая магнитная доменная стенка (DW), вакуумный зазор между наконечником и поверхностью, канал транзистора между истоком и стоком и т. д. Ландшафт потенциальной энергии устройства определяет его электрические свойства. |
| Keywords |
spintronics, spin-resolved transport, modeling |
| The name of the journal |
2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020
|
| URL |
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85093670337&doi=10.1109%2fVLSI-TSA48913.2020.9203729&partnerID=40&md5=b32c65691a934b2217fd940e2aec49f4 |
| Please use this ID to quote from or refer to the card |
https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=242775&p_lang=2 |
Full metadata record  |
| Field DC |
Value |
Language |
| dc.contributor.author |
Tagirov Lenar Rafgatovich |
ru_RU |
| dc.contributor.author |
Useinov Niazbek Khamzovich |
ru_RU |
| dc.date.accessioned |
2020-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
| dc.date.available |
2020-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
| dc.date.issued |
2020 |
ru_RU |
| dc.identifier.citation |
Useinov A, Lin H.-H, Useinov N, Tagirov L.R. Simulation of the nanoscale interconnects within a spin-resolved electron transport model//2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020. - 2020. - Vol., Is.. - P.72-73. |
ru_RU |
| dc.identifier.uri |
https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=242775&p_lang=2 |
ru_RU |
| dc.description.abstract |
2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA 2020 |
ru_RU |
| dc.description.abstract |
Работа представляет собой теоретическое моделирование электрической проводимости в межсоединениях наносейла в рамках подхода модели расширенного точечного контакта (ПК). Подход описывает диффузный, квазибаллистический, баллистический и квантовый режимы спин-разрешенной проводимости, что важно для разработки моделей гетеропереходов, включая межсоединения 2D-3D. В качестве преимущества модель обеспечивает унифицированное описание контактного сопротивления от диффузионного Максвелла через баллистический режим до чисто квантового транспортного режима без остаточных членов. Модель ПК предполагает, что контактную площадку можно заменить сложным квантовым устройством, например одиночный туннельный переход, узкая магнитная доменная стенка (DW), вакуумный зазор между наконечником и поверхностью, канал транзистора между истоком и стоком и т. д. Ландшафт потенциальной энергии устройства определяет его электрические свойства. |
ru_RU |
| dc.language.iso |
ru |
ru_RU |
| dc.subject |
spintronics |
ru_RU |
| dc.subject |
spin-resolved transport |
ru_RU |
| dc.subject |
modeling |
ru_RU |
| dc.title |
Simulation of the nanoscale interconnects within a spin-resolved electron transport model |
ru_RU |
| dc.type |
Articles in international journals and collections |
ru_RU |
|
RUS 
中文 
ES 
Sitemap
