| Form of presentation | Articles in international journals and collections |
| Year of publication | 2020 |
| Язык | английский |
|
Gumarov Amir Ildusovich, author
Rogov Aleksey Mikhaylovich, author
Tagirov Lenar Rafgatovich, author
|
| Bibliographic description in the original language |
Vorob'ev V.V, Gumarov A.I, Tagirov L.R, Analysis of Surface Morphology and Chemical Composition of Silicon Implanted with Copper Ions//Technical Physics. - 2020. - Vol.65, Is.10. - P.1643-1651. |
| Annotation |
Представлены результаты исследований структуры и химического состава поверхности монокристал-
лических подложек кремния c-Si, имплантированных ионами Cu+ с энергией 40 keV и дозами в диа-
пазоне 3.1 ? 1015
−1.25 ? 1017 ions/cm2 при плотности тока в ионном пучке 8 μA/cm2. Методами скани-
рующей электронной и зондовой микроскопии в сочетании с рентгеновской фотоэлектронной и оже-
электронной спектроскопии установлено, что на начальной стадии облучения ионами Cu+ до величины
дозы 6.25 ? 1016 ions/cm2, в приповерхностном слое Si формируются металлические наночастицы Cu со
средним размером 10 nm. При дальнейшем росте дозы имплантации, начиная со значения 1.25 ? 1017 ions/cm2
и выше, происходит зарождение -фазы силицида меди — -Cu3Si. Данное обстоятельство обусловлено
разогревом приповерхностного слоя подложки Si во время ее облучения до температуры, способствующей
фазообразованию -Cu3Si. |
| Keywords |
ion implantation, semiconductors, microscopy |
| The name of the journal |
Technical Physics
|
| URL |
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85094654327&doi=10.1134%2fS1063784220100242&partnerID=40&md5=0c656ad194dea7ca038f66aeb918fffe |
| Please use this ID to quote from or refer to the card |
https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=242466&p_lang=2 |
Full metadata record  |
| Field DC |
Value |
Language |
| dc.contributor.author |
Gumarov Amir Ildusovich |
ru_RU |
| dc.contributor.author |
Rogov Aleksey Mikhaylovich |
ru_RU |
| dc.contributor.author |
Tagirov Lenar Rafgatovich |
ru_RU |
| dc.date.accessioned |
2020-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
| dc.date.available |
2020-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
| dc.date.issued |
2020 |
ru_RU |
| dc.identifier.citation |
Vorob'ev V.V, Gumarov A.I, Tagirov L.R, Analysis of Surface Morphology and Chemical Composition of Silicon Implanted with Copper Ions//Technical Physics. - 2020. - Vol.65, Is.10. - P.1643-1651. |
ru_RU |
| dc.identifier.uri |
https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=242466&p_lang=2 |
ru_RU |
| dc.description.abstract |
Technical Physics |
ru_RU |
| dc.description.abstract |
Представлены результаты исследований структуры и химического состава поверхности монокристал-
лических подложек кремния c-Si, имплантированных ионами Cu+ с энергией 40 keV и дозами в диа-
пазоне 3.1 ? 1015
−1.25 ? 1017 ions/cm2 при плотности тока в ионном пучке 8 μA/cm2. Методами скани-
рующей электронной и зондовой микроскопии в сочетании с рентгеновской фотоэлектронной и оже-
электронной спектроскопии установлено, что на начальной стадии облучения ионами Cu+ до величины
дозы 6.25 ? 1016 ions/cm2, в приповерхностном слое Si формируются металлические наночастицы Cu со
средним размером 10 nm. При дальнейшем росте дозы имплантации, начиная со значения 1.25 ? 1017 ions/cm2
и выше, происходит зарождение -фазы силицида меди — -Cu3Si. Данное обстоятельство обусловлено
разогревом приповерхностного слоя подложки Si во время ее облучения до температуры, способствующей
фазообразованию -Cu3Si. |
ru_RU |
| dc.language.iso |
ru |
ru_RU |
| dc.subject |
ion implantation |
ru_RU |
| dc.subject |
semiconductors |
ru_RU |
| dc.subject |
microscopy |
ru_RU |
| dc.title |
Analysis of Surface Morphology and Chemical Composition of Silicon Implanted with Copper Ions |
ru_RU |
| dc.type |
Articles in international journals and collections |
ru_RU |
|
RUS 
中文 
ES 
Sitemap
