Kazan (Volga region) Federal University, KFU
KAZAN
FEDERAL UNIVERSITY
 
PHOTOELECTRIC AND MAGNETIC PROPERTIES OF FE-HYPERDOPED SI LAYERS FORMED BY THE RECOIL-ATOM IMPLANTATION
Form of presentationArticles in international journals and collections
Year of publication2020
Языканглийский
  • Gumarov Amir Ildusovich, author
  • Tagirov Lenar Rafgatovich, author
  • Bibliographic description in the original language Batalov R, Bayazitov R, Faizrakhmanov I, Khaibullin R, Tagirov L, Gumarov A, Vdovin V. Photoelectric and magnetic properties of Fe-hyperdoped Si layers formed by the recoil-atom implantation//Materials Science in Semiconductor Processing. - 2020. - Vol.105, Is.. - Art. № 104752.
    Annotation Исследовано легирование приповерхностной области монокристаллического Si p-типа примесью Fe при облучении низкоэнергетическим и сильноточным пучком ионов Xe. Применен метод имплантации атомов отдачи, который предусматривает одновременное распыление мишени Fe с облучением осажденных атомов Fe на поверхности подложки Si пучком ионов Xe. Получающееся включение атомов Fe в Si приводит к образованию очень тонкого (5 нм) высоколегированного (> 10^22 ат/см3) поверхностного слоя (Si: Fe), содержащего наночастицы Si и a-Fe с размерами 5-20 нм. Такой слой демонстрирует ферромагнетизм при Т = 10 К и суперпарамагнетизм при 300 К. Наблюдается инверсия типа проводимости (от p- к n-типу) в сильно легированном слое Si: Fe и образование n-p-перехода к подложке. Фотоотклик полученной таким образом диодной структуры n-Si: Fe / p-Si демонстрирует интенсивный сигнал в диапазоне длин волн 500-1200 нм с максимумом около 950 нм при низком напряжении обратного смещения (U = 1 В), у которого интегральная интенсивность сравнима с таковой для коммерческого кремниевого фотодиода при U = 10 В.
    Keywords Silicon, Iron, Hyperdoping, Ion beam, Ion sputtering, Nanoparticles, Ferromagnetism, Photoresponse
    The name of the journal Materials Science in Semiconductor Processing
    URL https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85072540286&doi=10.1016%2fj.mssp.2019.104752&partnerID=40&md5=6d4da31442f733f9f0518bea6520aad5
    Please use this ID to quote from or refer to the card https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=221971&p_lang=2

    Full metadata record