Form of presentation | Conference proceedings in Russian journals and collections |
Year of publication | 2014 |
Язык | русский |
|
Petukhov Denis Aleksandrovich, author
Tagirov Lenar Rafgatovich, author
Useinov Niazbek Khamzovich, author
|
Bibliographic description in the original language |
Petukhov D.A., Useinov N.Kh., Tagirov L.R. Tunnelnoe magnitosoprotivlenie v asimmetrichnykh sloistykh magnitnykh nanostrukturakh. - Trudy XVIII Mezhdunarodnogo simpoziuma «Nanofizika i nanoelektronika», 10-14 marta 2014. - T.1. - 208 s |
Annotation |
Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника? |
Keywords |
туннельное магнетосопротивление, спинтроника, магнитные наноструктуры |
The name of the journal |
Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника?
|
URL |
http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2014_v1.pdf |
Please use this ID to quote from or refer to the card |
https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=138024&p_lang=2 |
Full metadata record |
Field DC |
Value |
Language |
dc.contributor.author |
Petukhov Denis Aleksandrovich |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Tagirov Lenar Rafgatovich |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Useinov Niazbek Khamzovich |
ru_RU |
dc.date.accessioned |
2014-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
dc.date.available |
2014-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
dc.date.issued |
2014 |
ru_RU |
dc.identifier.citation |
Петухов Д.А., Усеинов Н.Х., Тагиров Л.Р. Туннельное магнитосопротивление в асимметричных слоистых магнитных наноструктурах. - Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2014. - Т.1. - 208 с |
ru_RU |
dc.identifier.uri |
https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=138024&p_lang=2 |
ru_RU |
dc.description.abstract |
Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника? |
ru_RU |
dc.description.abstract |
В работе теоретически исследуются слоистые двухбарьерные магнитные наноконтакты ферромагнетик-изолятор
(FML
/I1/FMW/I2/FMR
). На основе квазиклассической теории вычисляется спин-поляризованный ток через контакт. В приближе-
нии эффективной массы электронов проводимости, а также двухзонной модели ферромагнитных металлов рассчитываются
квантово-механические коэффициенты прохождения наноструктуры для каждого спинового канала. Показаны зависимости
тока и туннельного магнитосопротивления наноструктуры от приложенного напряжения. |
ru_RU |
dc.language.iso |
ru |
ru_RU |
dc.subject |
туннельное магнетосопротивление |
ru_RU |
dc.subject |
спинтроника |
ru_RU |
dc.subject |
магнитные наноструктуры |
ru_RU |
dc.title |
Туннельное магнитосопротивление в асимметричных слоистых магнитных наноструктурах |
ru_RU |
dc.type |
Conference proceedings in Russian journals and collections |
ru_RU |
|