Form of presentation | Articles in Russian journals and collections |
Year of publication | 2016 |
Язык | русский |
|
Vorobev Vyacheslav Valerevich, author
Osin Yuriy Nikolaevich, author
Stepanov Andrey Lvovich, author
|
|
Bazarov V. V., author
Valeev V F, author
Nuzhdin Vladimir Ivanovich, author
|
|
Vorobev Vyacheslav Valerevich, postgraduate kfu
|
Bibliographic description in the original language |
Bazarov V. V., Nuzhdin V. I., Valeev V. F., Vorobev V. V., Osin Yu. N., Stepanov A. L., Analiz poverkhnosti kremniya, implantirovannogo ionami serebra, metodami spektralnoy ellipsometrii i difrakcii otrazhennykh elektronov // Zhurnal prikladnoy spektroskopii, 2016, T. 82, № 1, S. 55-59. |
Annotation |
Журнал прикладной спектроскопии |
Keywords |
пористый кремний, ионная имплантация, спектральная эллипсометрия, дифракция отраженных электронов. |
The name of the journal |
Журнал прикладной спектроскопии
|
Please use this ID to quote from or refer to the card |
https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=127126&p_lang=2 |
Resource files | |
|
Full metadata record |
Field DC |
Value |
Language |
dc.contributor.author |
Vorobev Vyacheslav Valerevich |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Osin Yuriy Nikolaevich |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Stepanov Andrey Lvovich |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Bazarov V. V. |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Valeev V F |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Nuzhdin Vladimir Ivanovich |
ru_RU |
dc.contributor.author |
Vorobev Vyacheslav Valerevich |
ru_RU |
dc.date.accessioned |
2016-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
dc.date.available |
2016-01-01T00:00:00Z |
ru_RU |
dc.date.issued |
2016 |
ru_RU |
dc.identifier.citation |
Базаров В. В., Нуждин В. И., Валеев В. Ф., Воробьев В. В., Осин Ю. Н., Степанов А. Л., Анализ поверхности кремния, имплантированного ионами серебра, методами спектральной эллипсометрии и дифракции отраженных электронов // Журнал прикладной спектроскопии, 2016, Т. 82, № 1, С. 55-59. |
ru_RU |
dc.identifier.uri |
https://repository.kpfu.ru/eng/?p_id=127126&p_lang=2 |
ru_RU |
dc.description.abstract |
Журнал прикладной спектроскопии |
ru_RU |
dc.description.abstract |
Журнал прикладной спектроскопии |
ru_RU |
dc.description.abstract |
Представлены результаты исследований методами спектральной эллипсометрии и дифракции отраженных электронов аморфного кремния (а-Si), сформированного на поверхности монокристаллических подложек (c-Si) низкоэнергетической низкодозовой имплантацией ионов серебра. Имплантация проводилась с энергией 30 кэВ при постоянной плотности тока в ионном пучке 2 мкА/см2 в интервале доз 6.24 1012?1.25 1016 ион/см2 при комнатной температуре облучаемых подложек.
Для доз имплантации 6.24 1013 и 1.87 1014 ион/см2 проведено облучение с плотностью тока 0.1?5 мкA/cм2. Показано, что спектральная эллипсометрия является точным и надежным методом контроля технологического процесса низкодозовой ионной имплантации. |
ru_RU |
dc.language.iso |
ru |
ru_RU |
dc.subject |
пористый кремний |
ru_RU |
dc.subject |
ионная имплантация |
ru_RU |
dc.subject |
спектральная эллипсометрия |
ru_RU |
dc.subject |
дифракция отраженных электронов. |
ru_RU |
dc.title |
Анализ поверхности кремния, имплантированного ионами серебра, методами спектральной эллипсометрии и дифракции отраженных электронов |
ru_RU |
dc.type |
Articles in Russian journals and collections |
ru_RU |
|