Формула полезной модели:

   Дифракционная решетка для видимого диапазона, содержащая подложку с внедренной в ее поверхность дифракционной периодической микроструктурой, элементами которой являются области, подвергнутые ионному облучению и характеризуемые другой диэлектрической проницаемостью относительно материала подложки, отличающаяся тем, что подложка выполнена из оптически прозрачного диэлектрического или полупроводникового материала, а дифракционная периодическая микроструктура содержит ионно-синтезированные маталлические наночастицы, диспергированные в приповерхностной области подложки на толщине слоя от 20 до 100 нм при концентрации металла 3*1020-5*1022 атомов/см^3.

 В основе патента оригинальная технология изготовления оптических элементов. Работа выполнена на ионном ускорителе ИЛУ-3. 

  Авторы патента: Степанов А.Л. (в.н.с. Лаб. радиационной физики), Нуждин В.И. (с.н.с. Лаб. радиационной физики), Валеев В.Ф. (н.с. Лаб. радиационной физики), Галяутдинов М.Ф. (с.н.с. Лаб. квантовой оптики и информатики), Осин Ю.Н. (директор МДЦ АМ КФУ).

Патент РФ № 140494 :

http://kpfu.ru/portal/docs/F699624870/Patent_2014_Difrakciognnaya.reshetka.pdf