Нобелевские лауреаты создали прообраз графенового транзистора

Международный коллектив физиков, в число которых входят нобелевские лауреаты Андрей Гейм, Константин Новоселов, а также выпускник Казанского университета Артем Мищенко открыли новые свойства графена и создали на его основе прообраз транзистора.

Результаты своих исследований ученые опубликовали в журналах Nature и Nature Physics. Последняя публикация вышла 11 сентября в авторитетнейшем научном издании Science.

Основной особенностью чистого графена — двумерной модификации углерода — является отсутствие в нем запрещенной зоны, ширина которой равна нулю. Ее наличие у полупроводников, используемых в транзисторах, приводит к тому, что в них не существует непрерывного перехода между дырочной и электронной проводимостями, как в графене. Однако для создания полноценного транзистора — управления свойствами проводимости в нем — наличие такой зоны необходимо. Именно последние работы Гейма, Новоселова и их коллег позволили добиться этого.

Комментируя описанный в статье новый материал, Андрей Гейм заявил: «Это уже не совсем графен. Мы создаем новый тип кристаллов, комбинируя материалы толщиной в один атом. В своей публикации в Science мы описываем одну из таких комбинаций графена с нитридом бора («белого графита»)».

Также ученый отметил аналогию между исследованиями в физике конденсированного состояния вещества и физикой элементарных частиц. «Это новая физика, новые материалы, новые типы электронных квазичастиц (по типу массивных нейтрино, но с зарядом, как у электрона)», — сообщил Гейм.

Нобелиат не стал предсказывать будущее такой электроники. Однако он положительно ответил на вопрос о взаимодействии с российскими учеными в своей работе.